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TRS10E65C	文件：156.24 Kbytes Page：5 Pages	SiC Schottky Barrier Diode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TRS10E65C,S1Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
TRS10E65F	文件：294.34 Kbytes Page：6 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TRS10E65H	文件：432.62 Kbytes Page：7 Pages	SiCSchottkyBarrierDiode Applications •PowerFactorCorrection •SolarInverters •UninterruptiblePowerSupplies •DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=27nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=2.0μA(typ.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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更多TRS10E65C供应商更新时间2025-7-12 15:28:00