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TRS10E65C中文资料SiC Schottky barrier diode数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TRS10E65C

参数属性

TRS10E65C 封装/外壳为TO-220-2;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L

功能描述

SiC Schottky barrier diode

封装外壳

TO-220-2

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-11-26 17:28:00

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TRS10E65C规格书详情

描述 Description

Application Scope:Power factor correction / Solar inverters / Uninterruptible power supplies / DC-DC converters
Number of Circuits:1
Internal Connection:Single
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Forward DC current IF(DC) 10 A
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 650 V

技术参数

  • 产品编号:

    TRS10E65C,S1Q

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2

  • 供应商器件封装:

    TO-220-2L

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
XTW
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