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AMS3109	文件：584.66 Kbytes Page：10 Pages	Micropower700mALowNoiseFastTransientResponseLDO	AMSAdvanced Monolithic Systems 艾迈斯艾迈斯半导体	AMS
AMS3109S	文件：584.66 Kbytes Page：10 Pages	CurrentLimitprotection	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
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BX3109	文件：71.88 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
BYF3109	文件：253.162 Kbytes Page：0 Pages		BychipBYCHIP ELECTRONICS CO,. LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
CEM3109	文件：686 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 30V,10A,RDS(ON)=14mW@VGS=10V. RDS(ON)=20mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant. -30V,-8A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. RDS(ON)=30mW@VGS	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3109	文件：620.82 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,10A,RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ■-30V,-8A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=30mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU3109	文件：841.4 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 30V,22A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-252-4Lpackage. RDS(ON)=20mW@VGS=4.5V. Lead-freeplating;RoHScompliant. -30V,-18A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. RDS(ON)=30mW@VGS	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CM3109	文件：542.88 Kbytes Page：12 Pages	2ASink/SourceRegulatorforFrontSideBusandDDRMemoryBusTermination ProductDescription TheCM3109isasinkingandsourcingregulatorspecificallydesignedforseries-parallelbusterminationforhighspeedchipsetbusesaswellasDDRmemorysystems.Itcansourceandsinkcurrentupto2Awithhighaccuracyof0.5.TheVTToutputvoltageisselectablebyVDD	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
CPH3109	文件：55.66 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications DC/DCConverterApplications Features •AdoptionofMBITprocesses. •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts(mountingheight:0.9mm). •Highallowablepowerdissipat	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH3109-TL-E	文件：662.15 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CSS-3109E	文件：191.93 Kbytes Page：6 Pages	0.31InchSingleDigitDisplay	CHINASEMIChina Semiconductor Corporation "春山科技工業有限公司"	CHINASEMI

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更多TRC3109NLE供应商更新时间2024-6-21 16:18:00

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