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TPN6R303NC

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •Lithium-IonSecondaryBatteries •PowerManagementSwitches Features (1)Small,thinpackage (2)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=5.2mΩ(typ.)(VGS=10V) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (4)Enhancementmode:Vth=1.3to2.3V(VDS=10

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
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更多TPN6R303NC,LQ供应商 更新时间2024-4-27 15:00:00