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TPH1R306P1

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=22nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=77.5nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.96mΩ(typ.)(VGS=10V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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更多TPH1R306P1,L1Q供应商 更新时间2024-9-25 15:30:00