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TPH1R306P1	文件：586.28 Kbytes Page：9 Pages	丝印：TPH1R306P1；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=22nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=77.5nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.96mΩ(typ.)(VGS=10V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPH1R306P1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V); Drain current ID 260 A \nPower Dissipation PD 170 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \n; Application Scope：High efficiency DC/DC converters / Motor drivers / Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅨ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba

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TPH1R306P1

文件：586.28 Kbytes

Page：9 Pages

丝印：TPH1R306P1；Package：SOP；MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=22nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=77.5nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.96mΩ(typ.)(VGS=10V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TPH1R306P1

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V); Drain current ID 260 A \nPower Dissipation PD 170 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \n;

Application Scope：High efficiency DC/DC converters / Motor drivers / Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅨ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚\n

ToshibaToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

Toshiba

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
60
VGSS(V)：
+/-20
ID(A)：
260
PD(W)：
170
Ciss(pF)：
6250
Qg(nC)：
91
=4.5V：
0.0023
=10V：
0.00128
Number of pins：
8
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
SOP Advance
Generation：
U-MOSⅨ-H
Type：
High-speed switching
Width×Length×Height(mm)：
5.0 x 6.0 x 0.95
Package Size(mm^2)：
30.00
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

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