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TPC8A03-H中文资料东芝数据手册PDF规格书

TPC8A03-H
厂商型号

TPC8A03-H

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode

文件大小

217.01 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-1 14:37:00

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TPC8A03-H规格书详情

High Efficiency DC-DC Converter Applications

Notebook PC Applications

Portable Equipment Applications

• Built-in schottky barrier diode

Low forward voltage: VDSF = −0.6 V (max)

• High-speed switching

• Small gate charge: QSW = 8.4 nC (typ.)

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 4.1 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 54 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 30 V)

• Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

产品属性

  • 型号:

    TPC8A03-H

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode

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