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TPC8116-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8117	文件：214.77 Kbytes Page：7 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS?? Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications • Small footprint due to small and thin package • Low drain-source ON-resistance : RDS (ON)= 3.0 mΩ(typ.) • High forward transfer admittance : \|Yfs\| = 54 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= −10 μA (max) (VDS= −30 V) • Enhance 文件：214.77 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8117	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8118	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8118	文件：197.48 Kbytes Page：7 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS?? Notebook PC Applications • Small footprint due to small and thin package • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 5.5 mΩ(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 36 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= −10 μA (max) (VDS= −30 V) • Enhancement mode: Vth= −0.8 to −2.0 V (VDS= − 文件：197.48 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：206.95 Kbytes Page：7 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSV) Lithium-Ion Battery Applications Load switch Applications Notebook PC Applications • Small footprint due to a small and thin package • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 10 mΩ(typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 24 S (typ.) • Low leakage current: IDSS 文件：206.95 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8110	文件：267.49 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications 文件：267.49 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8110_06	文件：267.49 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications 文件：267.49 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8111	文件：271.99 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications 文件：271.99 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Product Category：
Power MOSFET (P-ch single)
Package name(Toshiba)：
SOP-8
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