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TPC8116-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8117	文件：214.77 Kbytes Page：7 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=3.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=54S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhance	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8117	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8118	文件：197.48 Kbytes Page：7 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS?? NotebookPCApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=5.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=36S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmode:Vth=−0.8to−2.0V(VDS=−	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8118	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：206.95 Kbytes Page：7 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSV) Lithium-IonBatteryApplications LoadswitchApplications NotebookPCApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=10mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8110	文件：267.49 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TPC8111	文件：271.99 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TPC811
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications

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