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TPC8052-H

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

TPC8052-H

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:1.7138 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TPC8052-H

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.38535 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

TPC8052-H

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)

Polarity:N-ch\nGeneration:U-MOSⅥ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本 / 马来西亚 Drain current ID 12 A \nPower Dissipation PD 1.9 W \nDrain-Source voltage VDSS 40 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;

Toshiba

东芝

详细参数

  • 型号:

    TPC8052-H

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH MOS 40V 12A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多TPC8052-H供应商 更新时间2025-11-30 14:13:00