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TP0604N3G	文件：311.77 Kbytes Page：14 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：311.77 Kbytes 页数：14 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
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TN0604N3	文件：44.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features ❏ Low threshold — 1.6V max. ❏ High input impedance ❏ Low input capacitance — 140pF typical ❏ Fast switching speeds ❏ Low on resistance ❏ Free from secondary breakdown ❏ Low input and output leakage ❏ Complementary N- and P-channel devices Applications ❏ Log 文件：44.21 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3-G	文件：732.24 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：732.24 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX

详细参数

型号：
TP0604N3G
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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