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TN0604N3	文件：44.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Features ❏ Low threshold — 1.6V max. ❏ High input impedance ❏ Low input capacitance — 140pF typical ❏ Fast switching speeds ❏ Low on resistance ❏ Free from secondary breakdown ❏ Low input and output leakage ❏ Complementary N- and P-channel devices Applications ❏ Log 文件：44.21 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3	文件：33.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：33.28 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs ❏ Low threshold — 1.6V max.\n❏ High input impedance\n❏ Low input capacitance — 140pF typical\n❏ Fast switching speeds\n❏ Low on resistance\n❏ Free from secondary breakdown\n❏ Low input and output leakage\n❏ Complementary N- and P-channel devicesApplications\n❏ Logic level interfaces – ideal for TTL ;	Microchip 微芯科技	Microchip
TN0604N3-G	文件：732.24 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：732.24 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3-G	文件：647.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：647.84 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3-GP002	文件：647.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：647.84 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3-GP003	文件：647.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：647.84 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3-GP005	文件：647.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：647.84 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3-GP013	文件：647.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：647.84 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0604N3-GP014	文件：647.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：647.84 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX

详细参数

型号：
TN0604N3
功能描述：
MOSFET 40V 0.75Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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