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TN2106N3-G	文件：822.75 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：822.75 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
TN2106N3-G	文件：550.85 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：550.85 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2106N3-G	文件：550.85 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：550.85 Kbytes 页数：6 Pages	SUTEX	SUTEX
VN2106N3	文件：457.83 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan 文件：457.83 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
VN2106N3-G	文件：472.96 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan 文件：472.96 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
VP2106N3	文件：456.67 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impeda 文件：456.67 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX

详细参数

型号：
TN2106N3-G
功能描述：
MOSFET 60V 2.5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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