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TPS2010D	文件：720.06 Kbytes Page：21 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPS2010D	文件：940.96 Kbytes Page：21 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPS2010DR	文件：720.06 Kbytes Page：21 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPS2010PW	文件：366.93 Kbytes Page：17 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS2010PWLE	文件：940.96 Kbytes Page：21 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPS2010PWLE	文件：720.06 Kbytes Page：21 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPS2010PWR	文件：720.06 Kbytes Page：21 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPS2010Y	文件：940.96 Kbytes Page：21 Pages	POWER-DISTRIBUTION	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TSC2010	文件：1.86858 Mbytes Page：54 Pages	Highvoltage,precision,bidirectionalcurrentsenseamplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSC2010H	文件：4.49268 Mbytes Page：50 Pages	Hightemperature,highvoltage,precision,bidirectionalcurrentsenseamplifiers Features •Widecommonmodevoltage:-20to70V •Offsetvoltage:±200μVmax. •2.7to5.5Vsupplyvoltage •Differentgainavailable –TSC2010H:20V/V –TSC2011H:60V/V –TSC2012H:100V/V •Gainerror:0.3max. •Offsetdrift:5μV/°Cmax. •Quiescentcurrent:20μAinshutdown	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
TN2010T
功能描述：
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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