| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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FAIRCHILD/仙童TO-92 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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12年
留言
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MICTO-252 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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12年
留言
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Central Semiconductor CorpTO-237AA |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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19年
留言
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MAXIM |
4 |
25+ |
公司优势库存 热卖中! |
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18年
留言
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MRO原厂原装 |
1851 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemiTO-92-3 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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8年
留言
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N/A |
57000 |
26+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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12年
留言
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MICTO-252 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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1年
留言
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WETSSOP-14 |
8000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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17年
留言
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2500 |
24+ |
自己现货 |
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17年
留言
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仙童TO-92 |
5000 |
24+ |
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12年
留言
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onsemiTO-226-3 TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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12年
留言
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onsemiTO-226-3 TO-92-3 长基体(成形 |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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12年
留言
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onsemiTO-226-3 TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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7年
留言
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onsemiTO-226 |
12369 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemiTO-226 |
12421 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-226-3 |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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onsemiTO-226-3 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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TN2219图片
TN2219A中文资料Alldatasheet PDF
更多TN2219功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-237VAR
TN2219A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TN2219A D26Z制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-226 T/R
TN2219A_01制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
TN2219A_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TN2219A_J05Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TN2219A_J25Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TN2219A_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
60V
- 最大电流允许值:
0.8A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
3DK30C,
- 最大耗散功率:
1.2W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-80
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
0.8
- wtest:
1.2

















