| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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MICTO-252 |
15000 |
12+ |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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MAXIM |
4 |
99+20 |
公司优势库存 热卖中! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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2500 |
自己现货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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仙童TO-92 |
5000 |
03+ |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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MRO原厂原装 |
1851 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-226-3,TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILD |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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MICTO-252 |
30000 |
21+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Central Semiconductor CorpTO-237AA |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILD |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-226-3,TO-92-3 长基体(成形 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-226-3,TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
TN2219A采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
TN2219A图片
TN2219A_J05Z中文资料Alldatasheet PDF
更多TN2219A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TN2219A D26Z制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-226 T/R
TN2219A_01制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
TN2219A_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TN2219A_J05Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TN2219A_J25Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TN2219A_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
TN2219A
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-226-3
- 描述：
TRANS NPN 40V 1A TO226-3
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
75V
- 最大电流允许值：
0.8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
3DK30C,
- 最大耗散功率：
1.2W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-80
- vtest：
75
- htest：
999900
- atest：
.8
- wtest：
1.2
