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TN2010T	文件：46.91 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
TNPW2010	文件：85.51 Kbytes Page：4 Pages	ThinFilm,Rectangular,ResistorChips TNPWHighStabilityThinFilmChipResistorsaretheperfectchoiceformostfieldsofmodernelectronicswherelead(Pb)-bearingterminationsaremandatoryandreliabilityandstabilityareofmajorconcern. FEATURES •Metalfilmlayeronhighqualityceramic •SnPbterminationplating,Pbcon	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TNPW2010	文件：133.01 Kbytes Page：10 Pages	HighStabilityThinFilmFlatChipResistors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TNPW2010	文件：133.01 Kbytes Page：10 Pages	HighStabilityThinFilmFlatChipResistors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TNPW2010	文件：111.5 Kbytes Page：8 Pages	HighStabilityThinFilmChipResistor TNPWPrecisionThinFilmFlatChipResistorsaretheperfectchoiceformostfieldsofmodernelectronicswherereliabilityandstabilityisofmajorconcern.Typicalapplicationsincludetelecommunication,industrial,medicalequipment,high-endcomputerandaudio/videoelectronics. FEATURES •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TNPW2010	文件：133.01 Kbytes Page：10 Pages	HighStabilityThinFilmFlatChipResistors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TP2010D	文件：219.31 Kbytes Page：1 Pages	4x4mmLowProfileTactileSwitches	GREATECS Createcs	GREATECS
TPH2010FNH	文件：227.11 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=2.6nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=168mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=250V) (	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPIC2010	文件：1.51713 Mbytes Page：70 Pages	SerialI/FControlled9-ChannelMotor-Driver	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
TPN2010FNH	文件：234.65 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=2.6nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=168mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=250V) (	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TN2010T
功能描述：
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	TN2010T	VISHAY	11+	SOT-23	8000	全新原装,绝对正品现货供应	询价
深圳市振宏微科技有限公司	TN2010T	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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更多TN2010T供应商更新时间2025-5-1 11:04:00

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