TMR2922数据手册MDT中文资料规格书
TMR2922规格书详情
描述 Description
TMR2922采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2922性能优越,采用的封装形式:SOP8。
特性 Features
(1)隧道磁电阻 (TMR)技术
(2)超高灵敏度(7~15mV/V/Oe)
(3)宽动态范围
(4)低功耗
(5)优越的温度稳定性
(6)极低的磁滞
(7)宽工作电压范围
(8)极低的本底噪声 (<1nT/rt(Hz) @1Hz)
应用 Application
(1)微弱磁场检测
(2)电流传感器
(3)位置传感器
技术参数
- 制造商编号
:TMR2922
- 生产厂家
:MDT
- 磁阻结构:
:全桥
- 供电电压:
:0~7 V
- 敏度(mV/V/Oe):
:7~15
- 电阻(kΩ):
:2
- 饱和场(Oe):
:±15
- 敏感方向:
:X轴
- 磁滞(Oe):
:<1
- 本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):
:~1
- 封装形式:
:SOP8
- 交付周期:
:In stock
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
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原厂 |
原厂封装 |
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