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TSM7N65CZCO	文件：1.23517 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrecti	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UTG7N65-S	文件：203.62 Kbytes Page：4 Pages	650VTRENCHGATEFIELD-STOPIGBT DESCRIPTION TheUTCUTG7N65-SisanTrenchField-StopInsulatedGate BipolarTransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovide customerswithhighswitchingspeed,lowsaturationvoltageand lowswitchingloss,etc. TheUTCUTG7N65-Sissuitablefortheresonantorsoft switchingap	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
WFD7N65S	文件：276.92 Kbytes Page：6 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFF7N65L	文件：307.23 Kbytes Page：8 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFF7N65S	文件：317.85 Kbytes Page：6 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFP7N65S	文件：1.1091 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WFU7N65S	文件：257.18 Kbytes Page：6 Pages	Super-JunctionPowerMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
YJ7N65CH	文件：954.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMosfet	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
YJ7N65CI	文件：954.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMosfet	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
YJ7N65CM	文件：954.13 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMosfet	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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