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UTG7N65-S	文件：203.62 Kbytes Page：4 Pages	650V TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT  DESCRIPTION The UTC UTG7N65-S is an Trench Field-Stop Insulated Gate Bipolar Transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high switching speed, low saturation voltage and low switching loss, etc. The UTC UTG7N65-S is suitable for the resonant or soft switching ap 文件：203.62 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
WFD7N65S	文件：276.92 Kbytes Page：6 Pages	650V Super-Junction Power MOSFET 文件：276.92 Kbytes 页数：6 Pages	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFF7N65L	文件：307.23 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOSFET 文件：307.23 Kbytes 页数：8 Pages	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFF7N65S	文件：317.85 Kbytes Page：6 Pages	650V Super-Junction Power MOSFET 文件：317.85 Kbytes 页数：6 Pages	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

更多UTG7N65-S供应商更新时间2025-12-23 15:06:00