650V Super-Junction Power MOSFET

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WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

超结MOS功率管

WFF7N65SAH 采用稳先微电子超结MOS技术制造，开关损耗较低，同时拥有较好的均一性和稳定性，可广泛应用于LED电源，充电器，适配器，TV电源和开关电源等应用。 • 650V,7A\n• RDS(ON) = 0.54Ω (Max.) @ VGS = 10V, ID = 4A\n• 低low FOM RDS(ON)×Qg\n• 极低的开关损耗\n• 稳定性和均一性好;

Winsemi

稳先微电子

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Super-Junction Power MOSFET

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WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

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