TK58E06N1中文资料Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)数据手册Toshiba规格书
TK58E06N1规格书详情
描述 Description
Application Scope：Switching regulators
Polarity：N-ch
Generation：U-MOSⅧ-H
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Drain current ID 105 A
Power Dissipation PD 110 W
Drain-Source voltage VDSS 60 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 制造商编号
：TK58E06N1
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch
- VDSS(V)
：60
- VGSS(V)
：+/-20
- ID(A)
：105
- PD(W)
：110
- Ciss(pF)
：3400
- Qg(nC)
：46
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：0.0054
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：N
- Package name(Toshiba)
：TO-220
- Generation
：U-MOSⅧ-H
- Type
：High-speed switching
- Width×Length×Height(mm)
：10.16 x 15.1 x 4.45
- Package Size(mm^2)
：153.42
- Drive voltage type
：10V Gate Drive
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