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TK50P04M1数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

TK50P04M1

功能描述

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:22:00

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TK50P04M1规格书详情

描述 Description

Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅥ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Drain current ID 50 A
Power Dissipation PD 60 W
Drain-Source voltage VDSS 40 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TK50P04M1

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch

  • VDSS(V)

    :40

  • VGSS(V)

    :+/-20

  • ID(A)

    :50

  • PD(W)

    :60

  • Ciss(pF)

    :2600

  • Qg(nC)

    :38

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.0102

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.0087

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :DPAK

  • Generation

    :U-MOSⅥ-H

  • Type

    :High-speed switching

  • Width×Length×Height(mm)

    :6.6 x 10.0 x 2.3

  • Package Size(mm^2)

    :66.00

  • Drive voltage type

    :Logic-Level Gate Drive

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