TK50P04M1中文资料Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)数据手册Toshiba规格书
TK50P04M1规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：U-MOSⅥ-H
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Drain current ID 50 A
Power Dissipation PD 60 W
Drain-Source voltage VDSS 40 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 制造商编号
：TK50P04M1
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch
- VDSS(V)
：40
- VGSS(V)
：+/-20
- ID(A)
：50
- PD(W)
：60
- Ciss(pF)
：2600
- Qg(nC)
：38
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.0102
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：0.0087
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：DPAK
- Generation
：U-MOSⅥ-H
- Type
：High-speed switching
- Width×Length×Height(mm)
：6.6 x 10.0 x 2.3
- Package Size(mm^2)
：66.00
- Drive voltage type
：Logic-Level Gate Drive
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