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TK4P50D

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

TK4P50D

丝印:DPAK;Package:TO-252;iscN-Channel MOSFET Transistor

文件:333.14 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

TK4P50D

Power MOSFET

文件:1.07807 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TK4P50DA

丝印:DPAK;Package:TO-252;iscN-Channel MOSFET Transistor

文件:333.19 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

TK4P50D

Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V)

Polarity:N-ch\nGeneration:π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:中国 Drain current ID 4 A \nPower Dissipation PD 80 W \nDrain-Source voltage VDSS 500 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;

Toshiba

东芝

详细参数

  • 型号:

    TK4P50D

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch MOS 4A 500V 80W 380pF 2 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO252
50000
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更多TK4P50D供应商 更新时间2026-1-18 14:14:00