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TK60D08J1	文件：197.6 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplication SwitchingRegulatorApplication •High-Speedswitching •Smallgatecharge:Qg=86nC(typ.) •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=6.2mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=120S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=75V) •Enhancement-mode:V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TK60D08J1

文件：197.6 Kbytes

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SwitchingRegulatorApplication

SwitchingRegulatorApplication •High-Speedswitching •Smallgatecharge:Qg=86nC(typ.) •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=6.2mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=120S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=75V) •Enhancement-mode:V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TK60D08J1(Q)
功能描述：
MOSFET MOSFET N-Ch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TK60D08J1(Q)供应商更新时间2025-7-24 15:38:00

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