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TK4A60DB	文件：281.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK4A60DB	文件：261.5 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(π-MOSⅦ) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=1.6Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=2.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancementmode:Vth=2.4to4.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK4A60DB	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TP4A60S	文件：1.32519 Mbytes Page：5 Pages	SensitiveGateTriac	APOLLOELECTRON Apollo Electron Co., Ltd.	APOLLOELECTRON
TR4A60	文件：1.36713 Mbytes Page：6 Pages	TR4A60	APOLLOELECTRON Apollo Electron Co., Ltd.	APOLLOELECTRON
TR4A60S	文件：4.39834 Mbytes Page：6 Pages	SensitiveGateTriac GeneralDescription ThisdeviceissuitablefordirectcouplingtoTTL,HTL,CMOSandapplicationsuchasvariouslogicfunctions,lowpowerACswitchingapplications,suchasfanspeed,smalllightcontrollersandhomeapplianceequipment.ThisdevicemaysubstituteforZ0405MF,2N6075,BT134-	APOLLOELECTRON Apollo Electron Co., Ltd.	APOLLOELECTRON
VSIB4A60	文件：101.73 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
WTD4A60S	文件：445.74 Kbytes Page：5 Pages	SensitiveGateTriac	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPB4A60SW	文件：358.48 Kbytes Page：5 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

详细参数

型号：
TK4A60DA(Q,M)
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
MOSFET,N CH,600V,3.5A,SC-67
功能描述：
MOSFET,N CH,600V,3.5A,SC-67; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
3.5A; Drain Source Voltage
Vds：
600V; On Resistance
Rds(on)：
1.7ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Power Dissipation
Pd：
35W; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes

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