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TK40A10K3	文件：208.88 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS?? SwitchingRegulatorApplication •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=11.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=80S •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) •Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TK40A10K3

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS??

SwitchingRegulatorApplication •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=11.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=80S •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=100V) •Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TK40A10K3

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TK40A10K3
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
MOSFET N CH 100V 40A TO220SIS

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