Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages

TOSHIBA

东芝

丝印：DPAK；Package：TO-252；iscN-Channel MOSFET Transistor

文件：333.22 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.14365 Mbytes 页数：4 Pages

DOINGTER

杜因特

DC-DC Converters

文件：246.94 Kbytes 页数：9 Pages

TOSHIBA

东芝

Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)

Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅥ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 40 A \nPower Dissipation PD 40 W \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;

Toshiba

东芝