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TK40E06N1	文件：1.55463 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
TK40E06N1	文件：328.7 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=10.4mΩ(VGS=10V) •Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableope	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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TK40E06N1

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N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

TK40E06N1

文件：328.7 Kbytes

Page：2 Pages

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=10.4mΩ(VGS=10V) •Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableope

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
TK40E06N1,S1X
功能描述：
MOSFET 100V N-Ch PWR FET 60A 67W 23nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TK40E06N1,S1X供应商更新时间2025-6-29 15:01:00

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