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TK3P80E	文件：382.93 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.9Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

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更多TK3P80E其他被动元件供应商更新时间2025-5-21 14:50:00

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