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TK3A65D	文件：243.64 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：243.64 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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TK3A65DA	文件：211.73 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：211.73 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3A65DA	文件：1.31305 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.31305 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TK3A65D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 3 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK3A65DA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 2.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK3A90E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 700V VDSS) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅧ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 2.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 900 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
2.5
PD(W)：
30
Ciss(pF)：
380
Qg(nC)：
9.0
=10V：
2.8
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
π-MOSⅦ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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