选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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TOSHIBATO-220F |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
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Q1750 |
0 |
TOS |
16+ |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
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TOSHIBATO-220F |
40 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
9865 |
23+/24+ |
原装MOS管(场效应管). |
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深圳市吉铭电子科技有限公司2年
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TOSHIBA/东芝TO220 |
800000 |
22+ |
原装正品 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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TOSHIBATO-220F |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
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TOSHIBANA |
562 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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TOSTO-220 |
37712 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
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TOSHIBA |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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QTO-220-3 |
43788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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TOSHIBA-东芝TO-220-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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TOSHIBA/东芝TO220 |
1834 |
2023+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
60620 |
22+ |
4000 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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TOSHIBATO-220F |
16500 |
21+ |
进口原装正品现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
12000 |
24+ |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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深圳宝隆芯业科技有限公司4年
留言
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Toshiba Semiconductor and StorSMD |
67000 |
23+ |
原装正品实单可谈 库存现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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TOSHIBATO-TO-220 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
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TOSHIBA/东芝TO-220F |
1887 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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TOSHIBATO-220F |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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TK3A图片
TK3A60DA(Q,M)价格
TK3A60DA(Q,M)价格:¥3.4659品牌:Toshiba
生产厂家品牌为Toshiba的TK3A60DA(Q,M)多少钱,想知道TK3A60DA(Q,M)价格是多少?参考价:¥3.4659。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,TK3A60DA(Q,M)批发价格及采购报价,TK3A60DA(Q,M)销售排行榜及行情走势,TK3A60DA(Q,M)报价。
TK3A60DAK3A60DA中文资料Alldatasheet PDF
更多TK3A60DA(Q)功能描述:MOSFET N-ch 600V 2.5A TO-220SIS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TK3A60DA(Q,M)制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET,N CH,600V,2.5A,SC-67 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET,N CH,600V,2.5A,SC-67; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):2.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:30W; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
TK3A60DA(QM)制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFETN CH600V2.5ASC-67
TK3A60DA(STA4,Q,M)功能描述:MOSFET N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TK3A65D(Q)制造商:Toshiba America Electronic Components
TK3A65D(STA4,Q,M)功能描述:MOSFET N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TK3A65DA(Q)制造商:Toshiba America Electronic Components
TK3A65DA(STA4,QM)功能描述:MOSFET N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube