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TK3A65D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3A65D	文件：279.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.25Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：279.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK3A65D	文件：243.64 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：243.64 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3A65D	文件：243.64 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：243.64 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3A65DA	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3A65DA	文件：279.85 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.51Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：279.85 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK3A65DA	文件：211.73 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications 文件：211.73 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3A65DA	文件：1.31305 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.31305 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TK3A65D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 3 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TK3A65DA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID 2.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 650 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

详细参数

型号：
TK3A65D
功能描述：
MOSFET N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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