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TK31	文件：171.81 Kbytes Page：1 Pages	Kit is an ideal accessory to most multimeters 文件：171.81 Kbytes 页数：1 Pages	EXTECH	EXTECH
TK31	文件：536.55 Kbytes Page：3 Pages	Sub-Miniature SPDT Toggle Switches 文件：536.55 Kbytes 页数：3 Pages	GREATECS	GREATECS
TK31A60W	文件：256.089 Kbytes Page：10 Pages	Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA) Applications • Switching Voltage Regulators 文件：256.089 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK31E60X	文件：246.14 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK31E60X；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) High-speed switching properties with lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA) 文件：246.14 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK31J60W5	文件：237.66 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K31J60W5；Package：TO-3P；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.082 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.5 V (VDS 文件：237.66 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK31N60W5	文件：239.19 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K31N60W5；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.082 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS 文件：239.19 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK31N60X	文件：243.86 Kbytes Page：10 Pages	丝印：K31N60X；Package：TO-247；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) High-speed switching properties with lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA) 文件：243.86 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK31V60W	文件：235.92 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK31V60W；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.078 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA) 文件：235.92 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK31V60W5	文件：273.86 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK31V60W5；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 Ω(typ.) (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA) 文件：273.86 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK31V60X	文件：236.04 Kbytes Page：10 Pages	丝印：TK31V60X；Package：DFN8x8；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.078 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) High-speed switching properties with lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA) 文件：236.04 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
TK31C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（SW）
封装形式：
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3AG87B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.2

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
30.8
PD(W)：
45
Ciss(pF)：
3000
Qg(nC)：
86
=10V：
0.088
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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