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ITK13A65D	文件：342.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(on)=0.4Ω(typ.) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1.0mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ITK13A65U	文件：288.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.32Ω(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=650V) •Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K13A65U	文件：210.8 Kbytes Page：6 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.32Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=8.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=650V) •Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK13A65D	文件：1.07057 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TK13A65D	文件：342.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(on)=0.4Ω(typ.) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1.0mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK13A65D	文件：232.33 Kbytes Page：9 Pages	SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.4Ω(typ.) (2)Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.5S(typ.) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max)(VDS=650V) (4)Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA) Applications •SwitchingVoltageRegulato	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK13A65U	文件：210.8 Kbytes Page：6 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(DTMOS?? SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.32Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=8.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=650V) •Enhancement-mode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK13A65U	文件：288.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.32Ω(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=650V) •Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobu	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK13A65U	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TK13A65U	文件：1.07054 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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