TK11A65W中文资料Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)数据手册Toshiba规格书
TK11A65W规格书详情
描述 Description
Application Scope:Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:DTMOSⅣ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国 / 马来西亚
特性 Features
Drain current ID 11.1 A
Power Dissipation PD 35 W
Drain-Source voltage VDSS 650 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 制造商编号
:TK11A65W
- 生产厂家
:Toshiba
- Polarity
:N-ch
- VDSS(V)
:650
- VGSS(V)
:+/-30
- ID(A)
:11.1
- PD(W)
:35
- Ciss(pF)
:890
- Qg(nC)
:25
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
:0.39
- Number of pins
:3
- Surface mount package
:N
- Package name(Toshiba)
:TO-220SIS
- Generation
:DTMOSⅣ
- Width×Length×Height(mm)
:10.0 x 15.0 x 4.5
- Package Size(mm^2)
:150.00
- Drive voltage type
:10V Gate Drive
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