TK11A60D数据手册Toshiba中文资料规格书
TK11A60D规格书详情
描述 Description
Polarity：N-ch
Generation：π-MOSⅦ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国 / 马来西亚
特性 Features
Drain current ID 11 A
Power Dissipation PD 45 W
Drain-Source voltage VDSS 600 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 型号：
TK11A60D
- 功能描述：
MOSFET N-Ch MOS 11A 600V 45W 1550pF 0.65
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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