TK11A55D数据手册Toshiba中文资料规格书
TK11A55D规格书详情
描述 Description
Polarity:N-ch
Generation:π-MOSⅦ
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:马来西亚
特性 Features
Drain current ID 11 A
Power Dissipation PD 45 W
Drain-Source voltage VDSS 550 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
技术参数
- 型号:
TK11A55D
- 功能描述:
MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.028
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
21+ |
TO-220属封 |
10 |
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询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
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NA |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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TOS |
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TOSHIBA |
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TO-220F |
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TOSHIBA/东芝 |
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TO-220F |
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TOSHIBA |
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TO220 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2022+ |
TO-220F |
30000 |
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询价 |