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TK11A65W	文件：241.96 Kbytes Page：10 Pages	Marking：K11A65W；Package：TO-220SIS；MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.33Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.5to3.5V(VDS=10V,ID=0.45mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK11A65W	文件：288.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ITK11A65W	文件：288.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
K11A65D	文件：333.26 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.54Ω(typ.) (2)Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.5S(typ.) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) (4)Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK11A65	文件：1.07166 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TK11A65D	文件：333.26 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.54Ω(typ.) (2)Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.5S(typ.) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) (4)Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK11A65D	文件：296.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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