| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TK11A50D | Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | |
TK11A50D | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
PXUPIDController | REDLION Red Lion Controls. Inc | REDLION | ||
MODELPXU-TEMPERATURE/PROCESSCONTROLLERS | REDLION Red Lion Controls. Inc | REDLION | ||
RES11AMatched,Thin-FilmResistorDividersWith1-kΩInputs 1Features •Widetemperaturerange:–40°Cto+125°C •Highratiomatchingprecision:±0.05(maximum) •Lowdrift:±2ppm/°CTCR(maximum) 2Applications •Precisionvoltagedivider,precisionleveltranslation •Gainandattenuatingamplifiers •DifferenceamplifierswithhighCMRR •D | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 |
详细参数
- 型号：
TK11A50D
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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