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TK12A60W	文件：246.65 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.265Ω(typ.)byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.6mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK12A60W	文件：289.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
WTF12A60	文件：489.81 Kbytes Page：6 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTF12A60-S	文件：454.76 Kbytes Page：5 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPA12A60SW	文件：447.54 Kbytes Page：6 Pages	SensitiveGateBi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPB12A60BW	文件：441.3 Kbytes Page：6 Pages	SensitiveGateBi-DirectionalTriodeThyristor GeneralDescription Generalpurposeswithhingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicro-controllers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetriggercircuitssuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolands	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPB12A60CW	文件：441.16 Kbytes Page：6 Pages	SensitiveGateBi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

详细参数

型号：
TK12A60U(Q)
功能描述：
MOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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