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TK12A60W	文件：246.65 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS?? Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.6 mA) Applications • Switching Voltage Regulators 文件：246.65 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK12A60W	文件：289.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：289.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TK12A60W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V) Polarity：N-ch\nGeneration：DTMOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 / 马来西亚 Drain current ID 11.5 A \nPower Dissipation PD 35 W \nDrain-Source voltage VDSS 600 V \nGate-Source voltage VGSS +/-30 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
WTF12A60	文件：489.81 Kbytes Page：6 Pages	Bi-Directional Triode Thyristor 文件：489.81 Kbytes 页数：6 Pages	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTF12A60-S	文件：454.76 Kbytes Page：5 Pages	Bi-Directional Triode Thyristor 文件：454.76 Kbytes 页数：5 Pages	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPA12A60SW	文件：447.54 Kbytes Page：6 Pages	Sensitive Gate Bi-Directional Triode Thyristor 文件：447.54 Kbytes 页数：6 Pages	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

技术参数

Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
600
VGSS(V)：
+/-30
ID(A)：
11.5
PD(W)：
35
Ciss(pF)：
890
Qg(nC)：
25
=10V：
0.3
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name(Toshiba)：
TO-220SIS
Generation：
DTMOSⅣ
Width×Length×Height(mm)：
10.0 x 15.0 x 4.5
Package Size(mm^2)：
150.00
Drive voltage type：
10V Gate Drive

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