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TK12A60W	文件：246.65 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.265Ω(typ.)byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.6mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK12A60W	文件：289.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
WTF12A60	文件：489.81 Kbytes Page：6 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTF12A60-S	文件：454.76 Kbytes Page：5 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPA12A60SW	文件：447.54 Kbytes Page：6 Pages	SensitiveGateBi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPB12A60BW	文件：441.3 Kbytes Page：6 Pages	SensitiveGateBi-DirectionalTriodeThyristor GeneralDescription Generalpurposeswithhingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicro-controllers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetriggercircuitssuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolands	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WTPB12A60CW	文件：441.16 Kbytes Page：6 Pages	SensitiveGateBi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

详细参数

型号：
TK12A60W
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Switching Voltage Regulators

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