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MBRAF3200T3G	文件：129.539 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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TISP3200T3	文件：363.47 Kbytes Page：11 Pages	OvervoltageProtectorSeries	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns

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