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TIP35C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP35C

参数属性

TIP35C 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 25A TO247-3

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
TRANS NPN 100V 25A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

文件大小

47.33 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-23 9:29:00

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TIP35C规格书详情

TIP35C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的TIP35C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

描述 Description

The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage

■ Complementary NPN - PNP transistors

Applications

■ General purpose

■ Audio amplifier

产品属性

更多
  • 产品编号:

    TIP35C

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 5A,25A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 15A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 25A TO247-3

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