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TIP35B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

TIP35B
厂商型号

TIP35B

参数属性

TIP35B 封装/外壳为TO-218-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 25A TO218

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-218-3

文件大小

157.84 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 17:47:00

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晶体管资料

  • 型号:

    TIP35B

  • 别名:

    TIP35B三极管、TIP35B晶体管、TIP35B晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    25A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-62

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    25

  • wtest:

    125

TIP35B规格书详情

Designed for general−purpose power amplifier and switching applications.

Features

• 25 A Collector Current

• Low Leakage Current −

ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V

• Excellent DC Gain −

hFE = 40 Typ @ 15 A

• High Current Gain Bandwidth Product −

|hfe| = 3.0 min @ IC

= 1.0 A, f = 1.0 MHz

• These are Pb−Free Devices*

产品属性

  • 产品编号:

    TIP35B

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 15A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-218-3

  • 供应商器件封装:

    TO-218

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 25A TO218

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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