TIP35B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
TIP35B规格书详情
Complementary Silicon High-Power Transistors
. . . for general–purpose power amplifier and switching applications.
• 25 A Collector Current
• Low Leakage Current — ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V
• Excellent DC Gain — hFE = 40 Typ @ 15 A
• High Current Gain Bandwidth Product — hfe = 3.0 min @ IC = 1.0 A,
f = 1.0 MHz
产品属性
- 产品编号：
TIP35B
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 15A，4V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
TO-218
- 描述：
TRANS NPN 80V 25A TO218
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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