TIP33C中文资料大功率 NPN 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose power amplifier and switching applications

特性 Features

• 10 A Collector Current
• Low Leakage Current - ICEO = 0.7 mA @ 60 V
• Excellent dc Gain - hFE = 40 Typ @ 3.0 A
• High Current Gain Bandwidth Product -hfe = 3.0 min @ IC = 0.5 A,f = 1.0 MHz
• Pb-Free Packages are Available

简介

TIP33C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的TIP33C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。