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TIP31G数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

TIP31G

参数属性

TIP31G 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 3A TO220

功能描述

Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TRANS NPN 40V 3A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 18:56:00

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TIP31G规格书详情

描述 Description

Designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

特性 Features

• Collector−Emitter Saturation Voltage −
   VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage −
   VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) − TIP31, TIP32
                      = 60 Vdc (Min) − TIP31A, TIP32A
                      = 80 Vdc (Min) − TIP31B, TIP32B
                      = 100 Vdc (Min) − TIP31C, TIP32C
• High Current Gain − Bandwidth Product
   fT= 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
• Compact TO−220 AB Package
• Pb−Free Packages are Available*

简介

TIP31G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的TIP31G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    TIP31G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    300µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 3A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 3A TO220

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