TIP31B中文资料NPN Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. The TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN); and TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C,(PNP) are complementary devices

特性 Features

• Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage -VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - TIP31A, TIP32A=80 Vdc (min) - TIP31B, TIP32B=100 Vdc (min) - TIP31C, TIP32C
• High Current Gain Bandwidth ProductfT = 3.0 MHz (min) @ IC = 500 mAdc
• Compact TO-220 AB Package
• Pb-Free Packages are Available

简介

TIP31B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的TIP31B晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。