TIP31A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF
TIP31A规格书详情
描述 Description
The Bipolar Power Transistor is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. The TIP31, TIP31A, TIP31B, TIP31C, (NPN); and TIP32, TIP32A, TIP32B, TIP32C,(PNP) are complementary devices
特性 Features
• Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Collector-Emitter Sustaining Voltage -VCEO(sus) = 60 Vdc (min) - TIP31A, TIP32A=80 Vdc (min) - TIP31B, TIP32B=100 Vdc (min) - TIP31C, TIP32C
• High Current Gain Bandwidth ProductfT = 3.0 MHz (min) @ IC = 500 mAdc
• Compact TO-220 AB Package
• Pb-Free Packages are Available
简介
TIP31A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的TIP31A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:TIP31A
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1.2
- IC Cont. (A)
:3
- VCEO Min (V)
:40
- VCBO (V)
:60
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:-
- VBE(on) (V)
:1.8
- hFE Min
:10
- hFE Max
:50
- fT Min (MHz)
:3
- PTM Max (W)
:40
- Package Type
:TO-220-3
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