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TIP147TTU	文件：601.53 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE = 1000@ VCE = - 4V, IC = - 5A (Min.) • Industrial Use • Complement to TIP140T/141T/142T 文件：601.53 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP147TU	文件：175.9 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Features • Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.) • Industrial Use • Complement to TIP140/141/142 文件：175.9 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP147G	文件：91.24 Kbytes Page：7 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：91.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP147G	文件：144.24 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：144.24 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP147T	文件：536.03 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors 文件：536.03 Kbytes 页数：5 Pages	TAI-SAW 嘉硕科技	TAI-SAW
TIP147T	文件：152 Kbytes Page：8 Pages	Complementary power Darlington transistors 文件：152 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
TIP147T	文件：79.54 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：79.54 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
TIP147T	文件：137.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：137.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TIP147T	文件：947.6 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. 文件：947.6 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN

产品属性

产品编号：
TIP147
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
TRANS PNP DARL 100V 10A TO247-3

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